Редактори:
О.Є. Бєляєв, М.С. Болтовець, Є.Ф. Венгер, Р.В. Конакова, Я.Я. Кудрик, В.В. Мілєнін, Г.В. Мілєнін
Рік видання:
2011
ISBN:
978-966-360-176-2
Мова:
Англійська
Видавець:
ВД "Академперіодика"
Місце:
Київ
В монографії розглянуті фізичні явища, які відбуваються в перехідному шарі метал—напівпровідник і при пробитті кремнієвих НВЧ діодів, а також методологія теорії катастроф при прогнозуванні відмов кремнієвих діодів і транзисторів. Викладені методи вимірювання параметрів омічних і бар’єрних контактів та механізми деградації кремнієвих НВЧ діодів, пов’язані з фізико-хімічними і структурними властивостями межі поділу метал—напівпровідник, якістю вихідного напівпровідникового матеріалу та досконалістю р-n переходу. Наведені експериментальні дані про методи гетерування дефектів у НВЧ діодних структурах, зокрема про низькотемпературні та ненагрівні процеси гетерування, що поліпшують параметри напівпровідникових приладів.
Монографія призначена для наукових працівників і розробників твердотільних НВЧ приладів. Вона може бути корисною також аспірантам і студентам, які навчаються за відповідним фахом.