Фізико-технологічні аспекти деградації мікрохвильових діодів

Редактори: 
О.Є. Бєляєв, М.С. Болтовець, Є.Ф. Венгер, Р.В. Конакова, Я.Я. Кудрик, В.В. Мілєнін, Г.В. Мілєнін
Рік видання: 
2011
ISBN: 
978-966-360-176-2
Мова: 
Англійська
Видавець: 
ВД "Академперіодика"
Місце: 
Київ
В монографії розглянуті фізичні явища, які відбуваються в перехідному шарі метал—на­півпровідник і при пробитті кремнієвих НВЧ діодів, а також методологія теорії катастроф при прогнозуванні відмов кремнієвих діодів і транзисторів. Викладені методи вимірю­вання параметрів омічних і бар’єрних контактів та механізми деградації кремнієвих НВЧ діодів, пов’язані з фізико-хімічними і структурними властивостями межі поділу метал—напівпровідник, якістю вихідного напівпровідникового матеріалу та досконалістю р-n пе­реходу. Наведені експериментальні дані про методи гетерування дефектів у НВЧ діодних структурах, зокрема про низькотемпературні та ненагрівні процеси гетерування, що по­ліпшують параметри напівпровідникових приладів.
Монографія призначена для наукових працівників і розробників твердотільних НВЧ приладів. Вона може бути корисною також аспірантам і студентам, які навчаються за відповідним фахом.